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Dr. Sven Einfeldt

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Qualifikation und Karriere

  • Habilitation, Universität Bremen, Titel der Arbeit: “Molecular beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy of group-III nitride layers and heterostructures”
    2003
  • Dr. rer.nat., Universität Würzburg, Titel der Arbeit: “Molekularstrahlepitaxie von II-VI-Verbindungen auf der Basis von HgSe und deren Anwendung in ohmschen Kontakten auf p-ZnSe”
    1995
  • Diplom in Physik, Universität Jena
    1990

Akademische Laufbahn

  • Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Photonics, Leiter des Joint Lab GaN Optoelectronics
    Seit 2024
  • Research Scholar at North Carolina State University, Raleigh, NC, USA
    2000 – 2002
  • Research Assistant, Universität Bremen
    1995 – 2004
  • Promotionsstudent, Universität Würzburg, Deutschland
    1991 – 1995
  • Promotionsstudent, Universität Jena, Deutschland
    1990 – 1991

Mitgliedschaften in wissenschaftlichen Gremien

  • Peer Reviewer für diverse Wissenschaftsjournale, z. B. IEEE Photon. Technol. Lett., J. Appl. Phys., etc.
    Seit 2004
  • Co-Vorsitzender der Int. Conf. on UV LED Technologies and Applications (ICULTA), Berlin
    2021

Top 5 Publikationen

J. Rass, H. K. Cho, M. Guttmann, D. Prasai, J. Ruschel, T. Kolbe, an S. Einfeldt, “Enhanced light extraction efficiency of far-ultraviolet-C LEDs by micro-LED array design”, Appl. Phys. Lett. 122, 263508 (2023).

Durch erstmalige Realisierung von Mikro-Pixeln in Fern-UVC-LEDs wurden Rekordwerte in der Lichtextraktionseffizienz dieser Bauelemente erzielt.

J. Glaab, N. Lobo-Ploch, H. K. Cho, T. Filler, H. Gundlach, M. Guttmann, S. Hagedorn, S. B. Lohan, F. Mehnke, J. Schleusener, C. Sicher, L. Sulmoni, T. Wernicke, L. Wittenbecher, U. Woggon, P. Zwicker, A. Kramer, M. C. Meinke, M. Kneissl, M. Weyers, U. Winterwerber, and S. Einfeldt, “Skin-tolerant inactivation of multi-resistant 1 pathogens using far-UVC LEDs”, Scientific Reports 11, 14647 (2021).

Fern-UVC-LEDs mit Emisson bei 233 nm wurden in Kombination mit Spektralfiltern in Strahlersystemen verbaut. Die Hautverträglichkeit der Strahlung und die Inaktivierung multiresistenter Keime durch sie wurden nachgewiesen.

J. H. Kang, H. Wenzel, E. Freier, V. Hoffmann, O. Brox, J. Fricke, L. Sulmoni, M. Matalla, C. Stölmacker, M. Kneissl, M. Weyers, and S. Einfeldt, “Continuous-wave operation of DFB laser diodes based on GaN using 10th-order laterally coupled surface gratings”, Opt. Lett. 45, 935 (2020).

Single-Mode-Laser auf der Basis von GaN mit Dauerstrichemission bei 405 nm wurden erstmalig unter Verwendung lateral gekoppelter Oberflächengitter realisiert.

J. Ruschel, J. Glaab, B. Beidoun, N. Lobo Ploch, J. Rass, T. Kolbe, A. Knauer, M. Weyers, S. Einfeldt, M. Kneissl, “Current-induced degradation and lifetime prediction of UVB light-emitting diodes”, Photonics Research 7, B36 (2019).

Die Degradation von UVB-LEDs mit Emission bei 310 nm in Abhängigkeit des Betriebsstroms wurde untersucht und dafür erstmalig ein empirisches Modell aufgestellt.

H.-K. Cho, O. Krüger, A. Külberg, J. Rass, U. Zeimer, T. Kolbe, A. Knauer, S. Einfeldt, M. Weyers, and M Kneissl, “Chip design for thin-film deep ultraviolet LEDs fabricated by laser lift-off of the sapphire substrate,” Semicond. Sci. Technol. 32, 12LT01 (2017).

Eine Technologie zum Ablösen des Saphirsubstrats von UV-LED-Chips wurde entwickelt, die perspektivisch eine höhere Effizienz der LEDs ermöglicht.

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