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Prof. Dr.-Ing. Gerhard Kahmen

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Qualifikation und Karriere

  • Dissertation Dr.-Ing. Elektrotechnik, Universität Ulm
    2012 – 2016
  • Studium der Elektrotechnik, Dipl.-Ing., RWTH Aachen
    1991 – 1997

Akademische Laufbahn

  • Wissenschaftlicher Direktor des Leibniz IHP, Frankfurt (Oder)
    Seit 2020
  • W3-Professor für Halbleitertechnologie an der BTU Cottbus
    Seit 2020
  • Leiter der Forschungs- und Entwicklungsabteilung für „Mixed-Signal ASICs“, Rohde & Schwarz GmbH, München, Deutschland
    2011 – 2019
  • Leiter des Forschungs- und Entwicklungsabteilung „Mixed-Signal ASICs“ der Rohde & Schwarz GmbH, München, Deutschland
    2006 – 2010
  • Mitarbeiter in der Forschungs- und Entwicklungsabteilung für „Mixed-Signal ASICs“, Rohde & Schwarz GmbH, München, Deutschland
    2001 – 2006
  • Mitarbeiter in der Forschungs- und Entwicklungsabteilung der Motorola GmbH, Flensburg, Deutschland
    2001
  • Mitarbeiter der Abteilung Forschung und Entwicklung bei Philips Semiconductors, Nijmegen, Niederlande
    1999 – 2000
  • Mitarbeiter der Abteilung Forschung & Entwicklung der Jansen Microwave GmbH, Aachen
    1997 – 2000
  • Senior Scientist am Lehrstuhl für Elektrodynamik, RWTH Aachen, Deutschland
    1997

Akademische Auszeichnungen (ausgewählte)

  • IEEE Microwave and Wireless Component Letters Best Paper Award 2024 der IEEE Microwave Theory and Technology Society (MTT-S)
    2024

Mitgliedschaften in wissenschaftlichen Gremien

  • Mitglied des wissenschaftlichen Beirats Bayerisches Chip-Design-Center (BCDC)
    Seit 2024
  • Mitglied des wissenschaftlichen Beirats des Netzwerkes Chipdesign Germany
    Seit 2024
  • Mitglied bei acatech - Deutsche Akademie der Technikwissenschaften
    Seit 2023
  • Mitglied des wissenschaftlichen Beirats des Barkhausen-Instituts, Dresden
    Seit 2022
  • Mitglied des wissenschaftlichen Beirats des Fraunhofer IZM - Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration
    Seit 2022
  • Mitglied des wissenschaftlichen Beirats des Fraunhofer-Projekts LEC-Learn ARRIVAL
    Seit 2022
  • Mitglied des wissenschaftlichen Beirats des BMBF-Projekts QUASAR
    Seit 2021
  • Mitglied des Lenkungsausschusses des ICampus Cottbus
    Seit 2020
  • Mitglied des Lenkungsausschusses der FMD (Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland)
    Seit 2020
  • Mitglied des wissenschaftlichen Beirats des IHP, Frankfurt (Oder)
    2014 – 2019

Top 5 Publikationen

G. Kahmen, H. Schumacher, „Interactive Design of MEMS Varactors with high accuracy and application in an ultralow noise MEMS-based RF VCO”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 65, Issue 10, August 2017, pp. 3578 – 3584

In diesem Artikel wird das Design und die Anwendung von MEMS (Micro-Electromechanical System)-Varaktoren für spannungsgesteuerte Oszillatoren (VCOs) mit ultrageringem Phasenrauschen untersucht und durch Messungen validiert.

D. Kissinger, G. Kahmen and R. Weigel, “Millimeter-Wave and Terahertz Transceivers in SiGe BiCMOS Technologies“, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 69, Issue 10, October 2021, pp. 4541 - 4560, DOI: 10.1109/TMTT.2021.3095235

Dieser Artikel bietet einen umfassenden Überblick über den Stand der Technik von SiGe-BiCMOS-Technologien und deren Anwendung in Millimeterwellen- und Sub-THz-Systemen.

Giannino Dziallas, Adel Fatemi, Anna Peczek, Lars Zimmermann, Andrea Malignaggi, and Gerhard Kahmen, “A 56 Gb/s Optical Receiver with 2.08 μA Noise monolithically Integrated in a 250 nm SiGe BiCMOS Technology”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 70, Issue 1, January 2022, pp. 392 - 401, DOI 10.1109/TMTT.2021.3104838

In diesem Artikel stellen wir einen vollständigen optischen Empfänger vor, der alle elektronischen und photonischen Komponenten umfasst und monolithisch in einer leistungsstarken Si-photonischen EPIC-Technologie integriert ist.

Mohamed Hussein Eissa, Gunter Fischer, Thomas Mausolf, Holger Rücker, Andrea Malignaggi and Gerhard Kahmen, “ A 220-320 GHz J-band 4-Way Power Amplifier in Advanced 130 nm BiCMOS Technology”, IEEE Microwave and Wireless Component Letters, Vol. 32, Issue 11, Nov. 2022, pp. 1335 - 1338, DOI 10.1109/LMWC.2022.3181407

Dieser Artikel behandelt einen vollständig integrierten Sub-THz-Leistungsverstärker für Anwendungen jenseits von 5G, der in der weltweit fortschrittlichsten SiGe-BiCMOS-Technologie entwickelt wurde

Max Uhlmann, Emilio P´erez-Bosch Quesada, Markus Fritscher, Eduardo P´erez, Markus Andreas Schubert, Marc Reichenbach, Philip Ostrovskyy, Christian Wenger, Gerhard Kahmen, “One-Transistor-Multiple-RRAM Cells for Energy-Efficient In-Memory Computing”, 21st IEEE Interregional NEWCAS Conference, Edinburg, Scotland, June 2023, DOI 10.1109/NEWCAS57931.2023.10198073

Dieser Artikel behandelt die Ergebnisse gestapelter RRAM-Geräte, um die Bit-Auflösung für synaptische Gewichte zu erhöhen, die in hardwarebasierten KI-Beschleunigern oder in In-Memory-Computing-Anwendungen verwendet werden.

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